功能描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：40nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1600pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：250W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：750 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：1,000

AOT10N65

AOT10T60L

AOT10T60PL

AOT1100L

AOT11C60L

AOT11C60PL

AOT11N60

AOT11N60L

AOT11N70

AOT11S60